带隙参考电压产生电路和带隙参考电压产生系统

授权

摘要

本申请提供一种带隙参考电压产生系统和一种带隙参考电压产生电路。所述带隙参考电压产生系统包括共模电压产生器、带隙参考电压产生电路和开关控制器。带隙参考电压产生电路包括多个晶体管，所述多个晶体管的源极端子分别连接至多个PMOS晶体管的漏极端子。开关控制器在第一模式下将地电压提供至带隙参考电压产生电路并在第二模式下将共模电压提供至带隙参考电压产生电路。带隙参考电压产生电路通过在第一模式下将地电压提供至所述多个晶体管的栅电极而使得所述多个晶体管在线性区中操作，并通过在第二模式下将共模电压提供至所述多个晶体管的栅电极带隙参考电压产生电路使得所述多个晶体管在饱和区中操作。

基本信息

专利标题：

带隙参考电压产生电路和带隙参考电压产生系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109491429A

申请号：

CN201810986632.8

公开（公告）日：

2019-03-19

申请日：

2018-08-28

授权号：

CN109491429B

授权日：

2022-06-03

发明人：

张宇镇吴承贤李宗祐

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

赵南

优先权：

CN201810986632.8

主分类号：

G05F1/56

IPC分类号：

G05F1/56