一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管
公开
摘要
本发明公开了一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管，包括垂直排列的纳米片或纳米线沟道，包裹在沟道外、位于栅极及栅极隔离下方的栅极氧化物，分别对称设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极，包裹在沟道外用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离以及设于沟道左右两端、包裹在沟道外的边墙，设置在沟道一端的漏和沟道另一端向源边墙内部延伸的源，设置在底部的衬底。本发明与现有源漏对称型器件相比，向源边墙内部延伸的源增加了源端与沟道的接触面积，载流子线隧穿概率增大，开态电流提升。在关断时，漏端结构与源漏对称型器件漏结构非交叠区域相同，关态电流基本保持不变，故具有更为理想的电流开关比，逻辑响应更快。
基本信息
专利标题 ：
一种源漏非对称的环栅可重构场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300540A
申请号 ：
CN202210004745.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙亚宾张芮石艳玲李小进刘赟
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路500号
代理机构 ：
上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐筱梅
优先权 ：
CN202210004745.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/10 H01L29/06
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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