一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管
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摘要
本实用新型公开了一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管，包括源极、漏极、栅极、沟道及栅氧化层，栅极包括栅极中间及靠近源极漏极的栅极两端，栅极两端材料的功函数低于栅极中间材料的功函数；沟道包括沟道中间及靠近源极漏极的沟道两端，沟道两端为N型重掺杂区，沟道中间包括衬底N型轻掺杂区和叠加在衬底N型轻掺杂区上的N型轻掺杂外延层；栅氧化层包括靠近漏极的叠加结构，所述叠加结构包括高电介质材料氧化层区和普通电介质材料氧化层区，高电介质材料氧化层区位于普通电介质材料氧化层区上方。本实用新型可作为一种耐热电子器件，即使较短的沟道，也能降低短沟道效应和热电子效应，降低漏感应势垒降低效应，提高栅极输运效率。
基本信息
专利标题 ：
一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920828659.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-03
授权号 ：
CN209626229U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
赵剑飞渠开放王伟
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吕朦
优先权 ：
CN201920828659.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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