低栅电荷开关场效应晶体管

授权

摘要

本实用新型提供了一种低栅电荷开关场效应晶体管，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；其中，所述POLY层上间隔挖设有多个通孔，每个所述通孔下的所述P阱中为P型重掺杂区域，所述POLY层和所述P型重掺杂区域相连作为栅极。本实用新型可以有效提高器件的导通均匀性，从而降低导通电阻。把栅极挖空部分与栅端连一起，当栅极信号来临时能较快地开启整个器件，达到快速开关的目的。

基本信息

专利标题：

低栅电荷开关场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021100901.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-15

授权号：

CN212010984U

授权日：

2020-11-24

发明人：

茅寅松吴岩

申请人：

上海安导电子科技有限公司

申请人地址：

上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室

代理机构：

上海段和段律师事务所

代理人：

李佳俊

优先权：

CN202021100901.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/417