具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112490287A
申请号 ：
CN202011221337.7
公开（公告）日 ：
2021-03-12
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN112490287B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
卢红亮陈丁波张卫
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
王洁平
优先权 ：
CN202011221337.7
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-03-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2021-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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