具有低氧浓度区域的晶片
公开
摘要
单晶硅晶片具有50μm至300μm的在第一表面和相对的第二表面之间的厚度。所述晶片包括从所述第一表面延伸第一深度的第一区域。所述第一区域相对于所述晶片的相邻区域具有降低的氧浓度。所述晶片具有大于100μs的体少数载流子寿命。
基本信息
专利标题 ：
具有低氧浓度区域的晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631193A
申请号 ：
CN202080056522.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-08-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰西·S.·阿佩尔艾莉森·格林利内森·斯托达德彼得·凯勒曼帕提夫·达戈鲁亚历山大·马丁内斯赛义德·皮鲁兹
申请人 ：
尖端设备技术公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋融冰
优先权 ：
CN202080056522.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L31/18 C30B29/06
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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