在晶片上检测逻辑区域中的缺陷
授权
摘要
本发明提供用于在晶片上检测逻辑区域中的缺陷的方法及系统。一种方法包含获取晶片的逻辑区域中的不同类型的基于设计的关注区的信息。所述方法还包含：将所述不同类型的所述基于设计的关注区指定为不同类型的子区域；及针对所述逻辑区域内的局部区，将定位于所述局部区中的所述子区域的两个或更多个例子指派给超区域。另外，所述方法包含针对指派给所述超区域的所述子区域的所述两个或更多个例子的全部产生一个散布图。所述一个散布图经产生具有针对输出的不同分段值，其对应于所述不同类型的所述子区域。所述方法进一步包含基于所述一个散布图检测所述子区域中的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
在晶片上检测逻辑区域中的缺陷
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112740383A
申请号 ：
CN201980060244.X
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN112740383B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
J·黄P·鲁塞尔李胡成K·吴
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丽楠
优先权 ：
CN201980060244.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-09-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20190917
申请日 : 20190917
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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