用于检测晶片上的缺陷的设备和方法
公开
摘要
公开了一种晶片缺陷推断系统，其包括处理电路，该处理电路被配置为：组合第一图像和第二图像以生成组合图像，第一图像包括在半导体晶片上形成的电路图案的成像，并且第二图像包括用于在半导体晶片上实现电路图案的掩模的布局图像的成像；基于组合图像，通过执行机器学习来推断与在半导体晶片上形成的电路图案相关联的缺陷；并且基于机器学习生成包括关于缺陷的信息的输出图像。
基本信息
专利标题 ：
用于检测晶片上的缺陷的设备和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388380A
申请号 ：
CN202111170392.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜旻澈金度年金在勋沈宇宙
申请人 ：
三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN202111170392.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
