一种碳化硅晶片的综合缺陷检测装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种碳化硅晶片的综合缺陷检测装置及方法，单纯的采用光学检测方法，附带自动聚焦功能，通过多光合使用可同时检测碳化硅晶片正反面和内部多种缺陷；并配合智能算法程序自动识别和收集碳化硅晶片各种缺陷的统计信息。采用本发明可以快速、准确地自动识别和统计碳化硅晶片的多种缺陷，并且各种缺陷可以准确定位，便于晶片质量分析。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶片的综合缺陷检测装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114280009A
申请号 ：
CN202111671279.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭钰刘春俊张世颖柴海帅王波彭同华杨建
申请人 ：
北京天科合达半导体股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁梅
优先权 ：
CN202111671279.2
主分类号 ：
G01N21/47
IPC分类号 ：
G01N21/47 G01N21/49 G01N21/59
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/47
散射，即漫反射
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/47
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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