一种垂直集成单元二极管芯片
授权
摘要
本发明提供一种垂直集成单元二极管芯片，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2，台面结构面积根据电流扩散长度确定。二极管台面结构包括第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘，其中第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在台面结构同一侧；第一导电类型电极与第一导电类型焊盘连接，第二导电类型电极与第二导电类型焊盘连接。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直集成单元二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111933768A
申请号 ：
CN201910337157.6
公开（公告）日 ：
2020-11-13
申请日 ：
2019-04-25
授权号 ：
CN111933768B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
闫春辉蒋振宇
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN201910337157.6
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/64 H01L33/62 H01L25/075
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-12-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20190425
申请日 : 20190425
2020-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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