一种正装集成单元二极管芯片
授权
摘要
本发明提供一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2。n个二极管单元包括位于第一导电类型层上的量子阱有源区，位于量子阱有源区上的第二导电类型层，位于第一导电类型层上并部分覆盖第二导电类型层的绝缘介质层，位于第二导电类型层上并部分覆盖绝缘介质层的透明电极，其中，第二导电类型电极位于绝缘介质层上并部分覆盖透明电极。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
基本信息
专利标题 ：
一种正装集成单元二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111916539A
申请号 ：
CN201910379235.9
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2019-05-08
授权号 ：
CN111916539B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
蒋振宇闫春辉
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN201910379235.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/42 H01L33/62 H01L33/64 H01L27/15
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20190508
申请日 : 20190508
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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