一种四颗二极管集成芯片
授权
摘要
一种四颗二极管集成芯片，包括硅片衬底，通过第一次硼杂质掺杂形成有第一P+区，在上下方向贯通硅片衬底形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；各间隔块的上表面通过磷杂质掺杂形成有N+区，并通过第二次硼杂质掺杂形成有第二P+区，且N+区与第一P+区、第二P+区均间隔设置；第二P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于N+区、第二P+区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及第二P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型具有工艺简单、集成度高、体积小且品质高等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种四颗二极管集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920611001.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210182359U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
吴念博
申请人 ：
苏州固锝电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN201920611001.8
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L29/06 H01L27/08 H01L21/56 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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