一种新型四颗二极管集成芯片
授权
摘要
一种新型四颗二极管集成芯片；包括硅片衬底，通过第一次硼杂质掺杂形成有第一P+区，在上下方向贯通硅片衬底形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；各间隔块的上、下表面通过磷杂质掺杂形成有N+区，或通过第二次硼杂质掺杂形成有第二P+区；N+区和第二P+区的面积均小于间隔块的上或下表面积，且N+区和第二P+区均与第一P+区在水平方向间隔设置；第二P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上于N+区的周边区域、第二P+区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及第二P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型具有工艺简单、集成度高、体积小且品质高等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种新型四颗二极管集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920611005.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN210182384U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
吴念博
申请人 ：
苏州固锝电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN201920611005.6
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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