一种亚单层量子点垂直腔激光器
授权
摘要
本实用新型提供一种亚单层量子点垂直腔激光器，既能够实现应变量子阱的优势，又不会引入额外的非辐射复合损耗，提高激光器量子效率和温度稳定性等方面性能；解决了现有技术中量子阱VCSEL激光器量子效率、温度稳定性等方面性能的不足。本实用新型中的亚单层量子点具备三维量子束缚，而且材料发光性能和光电特性都有很大的提升，同时相对于常规量子点，本实用新型中的亚单层量子点兼具了量子阱高均一性的优点。本实用新型通过原位的热处理，提供了材料质量，从而实现高量子效率的垂直腔激光器芯片或VCSEL芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种亚单层量子点垂直腔激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022534327.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN213125055U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
巫江
申请人 ：
成都科灵智能光电科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市龙泉驿区大面街道青台山路99号首创川师大1号项目3栋-1层5号
代理机构 ：
成都聚蓉众享知识产权代理有限公司
代理人 ：
张辉
优先权 ：
CN202022534327.0
主分类号 ：
H01S5/34
IPC分类号 ：
H01S5/34 H01S5/343 H01S5/183
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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