长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射...
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摘要
本实用新型公开了一种长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，包括n型GaAs衬底，n型GaAs衬底上表面由下至上依次设置有n型GaAs缓冲层、n型DBR、非掺杂量子点有源层和p型DBR，p型DBR和n型GaAs衬底上分别制备有上、下电极；非掺杂量子点有源层由非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点和非掺杂GaAs势垒层混合而成，非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点的内部为呈3D岛状结构的GaInNAs量子点，外部为InGaAs包覆层，通过调整InGaAs包覆层中的铟的含量来缓冲GaInNAs量子点与非掺杂GaAs势垒层间由晶格常数差异导致的应力，通过调整GaInNAs量子点中的氮及铟的含量来控制激光器的发射波长达到1.31至1.55μm。本实用新型具有更低的阈值电流、更窄的光谱线宽、更高的功率输出等特性。
基本信息
专利标题 ：
长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922134675.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210693015U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
黄珊珊黄辉廉文宏叶旺刘建庆
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯炳辉
优先权 ：
CN201922134675.6
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/30
法律状态
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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