一种半导体量子阱激光器
授权
摘要
本实用新型涉及光通信技术领域，具体涉及一种半导体量子阱激光器，其包括其外延结构包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、有源层、上限制层和接触层；所述上保护层上设置有脊波导和若干刻蚀槽，所述刻蚀槽分布在脊波导上，所述刻蚀槽将所述脊波导分割成若干不连续的脊波导分段。本实用新型实现类似于啁啾，切趾或者相移光栅效应，来实现较窄的线宽输出，同时可以避免光栅制造，二次外延生长等复杂工艺，简化激光器的制备工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体量子阱激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122032236.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-26
授权号 ：
CN216699079U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
林琦林中晞赵晓凡朱振国钟杏丽苏辉
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市杨桥西路155号
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN202122032236.1
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/343
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
