一种量子阱层结构及半导体激光器
授权
摘要
本实用新型提供一种量子阱层结构及半导体激光器，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、Ga、As的组分比值为x:1‑x:1。在量子阱层结构的厚度不变的情况下，将现有技术的单层量子阱层结构量分成多层。通过控制量子阱层结构中的In组分的量，从而控制具有In组分的第一混合层的厚度及第二混合层的厚度，确保第一混合层的材料不会由于晶格失配产生位错；该量子阱层结构应用于半导体激光器中，也不会导致半导体激光器的阈值电流，内量子效率，斜率效率等参数发生变化；在保持原有半导体激光器输出的各器件参数不变的情况下，提高半导体激光器的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种量子阱层结构及半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921620111.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
CN211088742U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
颜建黄勇胡双元
申请人 ：
苏州矩阵光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇科创园D栋，矩阵光电
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
李博洋
优先权 ：
CN201921620111.7
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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