制造具有多个量子井的半导体结构
公开
摘要
实例是关于一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法。该方法包括：提供一基板，该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物；沉积至少在该基板上的一第一层及与该第一层接触的一第二层，以在该基板上形成实质上平面半导体层的一第一堆栈，为一第一半导体合金的该第一层包括InP，为一第二半导体合金的该第二层包括InP；与该第一堆栈接触地沉积具有该第一晶格常数的一种二元半导体化合物的一第三层；沉积至少在该第三层上的一第四层及与该第四层接触的一第五层，以在该第三层上形成实质上平面半导体层的一第二堆栈，该第四层包括包含InP的一第三半导体合金，该第五层包括包含InP的一第四半导体合金。
基本信息
专利标题 ：
制造具有多个量子井的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600325A
申请号 ：
CN202080073561.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因彼特鲁斯·约翰内斯·阿德里亚努斯·蒂斯
申请人 ：
思敏光子控股有限责任公司
申请人地址 ：
荷兰爱因荷芬
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘瑞贤
优先权 ：
CN202080073561.8
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/026 H01L33/30 H01L33/06 H01L31/0304 G02F1/017 B82Y20/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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