高压垂直扩散场效应管及其制法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻N+的硅单晶衬底片上，生长一层高阻N-外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压VDMOS晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低VDMOS晶体管的导通电阻晶片减薄工艺和薄片加工工艺的特征是把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。
基本信息
专利标题 ：
高压垂直扩散场效应管及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040707A
申请号 ：
CN88106151.4
公开（公告）日 ：
1990-03-21
申请日 ：
1988-08-25
授权号 ：
CN1010066B
授权日 ：
1990-10-17
发明人 ：
李思敏
申请人 ：
北京市半导体器件研究所
申请人地址 ：
北京市沙河镇
代理机构 ：
北京市专利事务所
代理人 ：
王敬智
优先权 ：
CN88106151.4
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/304 H01L29/784
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
1993-06-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-01-29 ：
授权
1990-10-17 ：
审定
1990-06-27 ：
实质审查请求
1990-03-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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