带低阻薄层衬底的高压硅管及制法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种对具有单层衬底结构的高压半导体硅管制造方法的改进，通过背面掺杂等工艺，在衬底高阻层背面形成低阻薄层，有效地减小了接触电阻，增加了功能，简化了工艺，减少了加工中的碎片率，制成一种具有低阻薄层衬底结构的新型高压半导体硅管。
基本信息
专利标题 ：
带低阻薄层衬底的高压硅管及制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047758A
申请号 ：
CN89103536.2
公开（公告）日 ：
1990-12-12
申请日 ：
1989-06-02
授权号 ：
CN1014570B
授权日 ：
1991-10-30
发明人 ：
李恩敏
申请人 ：
北京市半导体器件研究所
申请人地址 ：
北京市昌平县沙河镇
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN89103536.2
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/265 H01L21/24 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1995-07-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-06-24 ：
授权
1991-10-30 ：
审定
1990-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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