一种新型绝缘栅场效应管
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型绝缘栅场效应管，包括衬底基片，所述衬底基片的上表面连接有外延层，所述外延层的上表面连接有接触层。所述接触层的上表面连接有绝缘层，所述衬底基片与外延层之间设有连接板，所述连接板的内部贯穿连接有一号锁紧销和二号锁紧销，所述一号锁紧销的端头延伸至外延层的内部，所述二号锁紧销的端头延伸至衬底基片的内部，所述衬底基片的两侧外表面均连接有高度调节机构，所述接触层的内部嵌设有硅栅，且接触层的内部连接有注射氧化介质的注料通道，所述绝缘层的内部嵌设有金属板。本实用新型所述的一种新型绝缘栅场效应管，能够方便调节效应管的使用高度，且能够方便向效应管内注入氧化介质。
基本信息
专利标题 ：
一种新型绝缘栅场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020797500.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN211980622U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
刘放承
申请人 ：
深圳市晶宇通电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园二期4栋1507
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020797500.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/12
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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