半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明为了提供一种即使在使用大尺寸芯片时仍能做小、且其中能够形成低开态电阻的MOSFET的半导体器件，公开了一种半导体器件，其包括：树脂封装；至少两根主引线，集成在所述树脂封装中以构成芯片安装部分；安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片；以及第一和第二表面引线，每个均电连接到形成于所述半导体芯片的表面上的电极。所述主引线和所述第一和第二表面引线分别沿着所述树脂封装的底面向外突出。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1870257A
申请号 ：
CN200510107030.3
公开（公告）日 ：
2006-11-29
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宇都宫哲高野好弘
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107030.3
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-06-19 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/488
登记生效日 : 20200602
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 松下半导体解决方案株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本京都府
登记生效日 : 20200602
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 松下半导体解决方案株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本京都府
2009-07-08 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2006-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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