半导体器件
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
在把铜或铜合金焊接引线(16)压焊到半导体元件(13)的电极压焊区(21)上的半导体器件中，电极压焊区(21)由与半导体元件形成欧姆接触的第一金属层(18)，其硬度足以在引线焊接时不产生变形的第二金属层(19)以及用于焊接铜引线的第三金属层(20)构成，结果抑制了焊接部位电学性能的变化，并在引线焊接时抑制在半导体元件中产生应力。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107402A
申请号 ：
CN87107402.8
公开（公告）日 ：
1988-06-22
申请日 ：
1987-12-12
授权号 ：
CN1020029C
授权日 ：
1993-03-03
发明人 ：
薄田修
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN87107402.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2008-04-23 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-03-20 ：
其他有关事项
1993-03-03 ：
授权
1988-06-22 ：
公开
1988-06-01 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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