一种键合方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种键合方法及半导体结构,键合方法包括:提供承载片,承载片的一面上设置凹槽,凹槽中填充键合胶;将承载片填充键合胶的一面与器件晶圆进行键合。本申请提供的键合方法,通过在承载片上设置凹槽,使得键合胶填充于凹槽中,改善边缘暴露出键合胶的情况,使得器件晶圆的边缘不易翘起,改善或避免器件晶圆在后续后处理工艺过程中出现破碎或劈裂的情况的发生,改善键合胶所带来的后续工艺的缺陷问题。

基本信息
专利标题 :
一种键合方法及半导体结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420621A
申请号 :
CN202111364010.X
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-11-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王瑞磊郭万里周云鹏
申请人 :
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
任欢欢
优先权 :
CN202111364010.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20211117
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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