一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法

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摘要

本发明公开了一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法，在键合前先对半导体芯片进行等离子体清洗，然后进行真空烘培处理，再多次进行充氮气抽真空的操作，最后再次充入氮气，使真空烘箱中的气压达到常压，然后取出半导体芯片进行键合操作。本发明中，通过等离子体清洗能够有效去除半导体芯片表面吸附的颗粒和有机杂质；通过真空烘培能够利用高温较好地去除所述半导体芯片表面的水汽和易挥发的有机杂质；通过反复充氮气抽真空能够去除残余的杂质气氛、颗粒以及快速冷却半导体芯片；从而解决半导体芯片因长期存储过程中吸附的水汽、颗粒和有机杂质等引起的键合拉力值降低的问题，提升半导体芯片键合的可靠性。

基本信息

专利标题：

一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111627797A

申请号：

CN202010511434.3

公开（公告）日：

2020-09-04

申请日：

2020-06-08

授权号：

CN111627797B

授权日：

2022-06-10

发明人：

徐炀崔伟刘嵘侃唐昭焕谈侃侃

申请人：

中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请人地址：

重庆市南岸区南坪花园路14号

代理机构：

重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

袁泉

优先权：

CN202010511434.3

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/67 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-06-10 ：

授权

2020-09-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200608

2020-09-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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