一种高可靠性半导体器件芯片焊接方法
公开
摘要
本发明公开了一种高可靠性半导体器件芯片焊接方法,包括:步骤一、芯片上膏,对芯片上设置的连接板进行上膏操作;步骤二、芯片植球,对连接板上设置的植球处进行植球;步骤三、植球检查,将连接板放置到显微镜下进行观察,看看锡球时候被准确的放置在植球处上;步骤四、加热固定,将植球完成的连接板放置在加热台上,对连接板进行加热;步骤五、冷却清洗,锡球完全黏附在植球处上的时候,需要将植球完成的连接板进行冷却,并对冷却完成的连接板进行清洗;步骤六、抓取芯片,使用吸盘对准吸盘对准座并进行吸附。通过本发明设定的焊接方法可以有效的避免出现虚焊和空焊的情况,进而可以提高芯片焊接的质量,从而可以让芯片运行的更加稳定。
基本信息
专利标题 :
一种高可靠性半导体器件芯片焊接方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361053A
申请号 :
CN202111605914.7
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
路尚伟王兴超孟庆卢林延峰
申请人 :
山东沂光集成电路有限公司
申请人地址 :
山东省临沂市郯城县高科技电子产业园A7栋
代理机构 :
安徽爱信德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
谌丹
优先权 :
CN202111605914.7
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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