高可靠性半导体器件封装结构

授权

摘要

本实用新型公开一种高可靠性半导体器件封装结构，包括多个引线框单元、分别位于引线框单元两端的引脚、将多个引线框单元的引脚在第一方向上连接的连接筋和将多个连接筋在第二方向上连接的边框，位于第一方向上的相邻两个引线框单元之间具有一第一条形孔，此两个引线框单元相邻的引脚之间具有一第二条形孔，此第二条形孔位于第二方向上的长度小于连接筋宽度并位于连接筋上，位于第二方向上的相邻连接筋之间具有一第三条形孔，此第三条形孔中间隔排布有多个加强筋，此加强筋与两侧的连接筋一体设置并开有一第四条形孔。本实用新型不仅能够保证引线框的结构强度，提高引线框单元的密度，还能减少相邻引线框单元加工时的相互影响，提高产品质量。

基本信息

专利标题：

高可靠性半导体器件封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921099964.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-12

授权号：

CN210325753U

授权日：

2020-04-14

发明人：

彭兴义

申请人：

盐城芯丰微电子有限公司

申请人地址：

江苏省盐城市大丰区新丰镇梦想大道8号

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN201921099964.0

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/495