高可靠性电力半导体封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性电力半导体封装结构，所述高可靠性电力半导体封装结构包括：壳体，所述壳体内限定有容纳腔；半导体器件，所述半导体器件位于所述容纳腔内；至少两个管脚，相邻两个所述管脚间隔开分布，每个所述管脚的一端与所述半导体器件电气连接，每个所述管脚的另一端伸出所述容纳腔且朝着背向所述壳体所在方向的一侧延伸，至少一所述管脚的另一端的尺寸小于其余所述管脚的另一端的尺寸。该高可靠性电力半导体封装结构能够增大散热面积，快速导出芯片所产生的热量，降低芯片温度，提高了分立器件的散热能力和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性电力半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920692007.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN209544333U
授权日 ：
2019-10-25
发明人 ：
许海东
申请人 ：
南京晟芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区高湖路105号
代理机构 ：
常州市权航专利代理有限公司
代理人 ：
印苏华
优先权 ：
CN201920692007.2
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2019-10-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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