双芯片高可靠性MOSFET器件

授权

摘要

本实用新型公开一种双芯片高可靠性MOSFET器件，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型双芯片高可靠性MOSFET器件降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，也提高了器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

双芯片高可靠性MOSFET器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021721984.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-18

授权号：

CN212517175U

授权日：

2021-02-09

发明人：

张开航马云洋

申请人：

苏州秦绿电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202021721984.X

主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/367 H01L23/49 H01L23/31 H01L25/18