高可靠性半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开一种高可靠性半导体器件，包括二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部；所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部；所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间。本实用新型高可靠性半导体器件有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。

基本信息

专利标题：

高可靠性半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020823440.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-18

授权号：

CN211957635U

授权日：

2020-11-17

发明人：

唐兴军王亚

申请人：

苏州兴锝电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202020823440.8

主分类号：

H01L23/49

IPC分类号：

H01L23/49 H01L23/24 H01L23/367