高可靠性半导体器件
授权
摘要

本实用新型公开一种高可靠性半导体器件,包括二极管芯片、第一引线条和第二引线条,所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部,所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部;所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔,此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部;所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板,所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板,所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间。本实用新型高可靠性半导体器件有利于芯片热量的扩散,减少了热阻,改善了器件的散热性能。

基本信息
专利标题 :
高可靠性半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020823440.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-18
授权号 :
CN211957635U
授权日 :
2020-11-17
发明人 :
唐兴军王亚
申请人 :
苏州兴锝电子有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
王健
优先权 :
CN202020823440.8
主分类号 :
H01L23/49
IPC分类号 :
H01L23/49  H01L23/24  H01L23/367  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-11-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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