半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明揭示一种半导体器件，在连接电极(5)往下的内部配置1个或多个加固用通路(7)或加固用金属层。由此，提高对安装半导体元件(3)时的负载的强度，抑制连接电极(5)沉陷，因而能使半导体器件的连接应力减小，抑制连接部形变，可增加工序设计自由度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828882A
申请号 ：
CN200610055040.1
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大隅贵寿阪下靖之
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200610055040.1
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2011-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101066491335
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100550401
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20100224
号牌文件序号 : 101066491335
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006100550401
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20100224
2009-07-15 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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