半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体器件，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；电路功能层，位于衬底的第一表面，电路功能层包括布线层；位于衬底中的多个开口，且沿第一表面至第二表面的方向，开口内依次设有电路层引线点、金属柱体和金属焊盘；其中，金属柱体通过电路层引线点与布线层电连接，金属焊盘通过第二表面暴露且用于使金属柱体与外部电路电连接。上述半导体器件，通过位于衬底中的金属柱体以及其两侧的电路层引线点和金属焊盘实现布线层与外部电路之间的电连接，能够实现半导体器件的小型化。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021330932.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
CN212542424U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
戴建业韦仕贡刘伟
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN202021330932.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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