半导体器件
授权
摘要
公开了半导体器件。用于半导体器件的引线框架包括导电引线的阵列。导电引线具有彼此相对的横向(垂直)表面。电绝缘材料形成在彼此相对的横向表面上，以防止相邻引线之间的短路。可以进一步在引线框架的导电引线的相对的底表面和顶表面中的一个或多个上设置电绝缘材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021174209.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212485275U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
A·阿里戈尼
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021174209.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
