一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法
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摘要
本发明公开了一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，本发明操作时，首先进行外延层的生长，其中外延层的生长属于常规工艺，生长外延层后在GaP窗口层上生长ITO膜层，可有效提高LED芯片的发光亮度，并且提高芯片的导电性能；ITO膜层生长结束后，进行P面电极、N面电极的制作，而后利用锯片机进行锯片切割，切割之前在P面生长保护层，切割完成后对芯片进行清洗，去除晶片表面残留的保护层，烘干后扩膜，形成独立管芯结构。本技术方案工艺设计合理，操作简单，利用氯化铯薄膜作为保护层，进行后续锯片切割时，保护层可以有效起到电极保护、切割保护的作用，极大程度的避免了崩边、崩角损伤的发生，提高晶片良率。
基本信息
专利标题 ：
一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112542534A
申请号 ：
CN201910893385.1
公开（公告）日 ：
2021-03-23
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN112542534B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
徐晓强张兆喜王梦雪闫宝华任忠祥
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文杰
优先权 ：
CN201910893385.1
主分类号 ：
H01L33/42
IPC分类号 ：
H01L33/42 H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00 H01L21/48
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/42
申请日 : 20190920
申请日 : 20190920
2021-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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