一种切割锗初始晶片的方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及晶片切割的技术领域，具体公开了一种切割锗初始晶片的方法。切割锗初始晶片的方法包括以下步骤：步骤S1：将待切割锗晶棒粘接于多线切割机的料板上；步骤S2：用多线切割机对锗晶棒进行切割，多线切割机中的切割线上负载有切割液，切割液由固体颗粒与聚乙二醇混合而成，固体颗粒为丙烯酸改性碳化硅微粉、氧化铝微粉的混合物，丙烯酸改性碳化硅微粉通过丙烯酸于碳化硅微粉表面接枝改性制备得到；步骤S3：将切割后的割锗初始晶片放置于清洗液中超声，烘干，得到锗晶片，清洗液为三乙胺与氢氧化钠的碱液。本申请中的切割锗初始晶片的方法能够显著降低切割后锗晶片的损伤层厚度，提高锗晶片质量。
基本信息
专利标题 ：
一种切割锗初始晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530372A
申请号 ：
CN202210082342.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王元立洪庆福韩东
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210082342.7
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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