晶片级封装和切割的方法
专利权的终止
摘要

本发明公开了一种晶片级封装和切割的方法。所述方法首先提供包含多个腔体的封装晶片,并形成多条未贯穿该封装晶片的沟槽于所述腔体间。接着将该封装晶片与元件晶片接合,并使各所述腔体与该元件晶片分别形成气密视窗。随后进行切割工艺,并移除该封装晶片未与该元件晶片结合的部分结构,形成晶片级封装结构。最后分割该晶片级封装结构,形成多个独立的封装管芯。

基本信息
专利标题 :
晶片级封装和切割的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101009231A
申请号 :
CN200610006064.8
公开(公告)日 :
2007-08-01
申请日 :
2006-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王顺达
申请人 :
探微科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾桃园县
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610006064.8
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2016-03-09 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650102740
IPC(主分类) : H01L 21/50
专利号 : ZL2006100060648
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20150124
2009-03-18 :
授权
2007-09-26 :
实质审查的生效
2007-08-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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