实现用于晶片级封装的精确对准的方法
专利权的终止
摘要
制造集成晶片级封装的方法，该方法降低了在芯片与载体衬底的槽之间的可能的未对准。根据本发明的一个方面，一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在载体衬底上沉积光致抗蚀剂层；将芯片置于所述光致抗蚀剂层的表面上；利用所述芯片作为掩膜构图所述光致抗蚀剂层；在所述构图步骤之后从所述光致抗蚀剂层去除所述芯片；在所述载体衬底中形成槽；以及将去除的所述芯片置于在所述载体衬底中形成的所述槽中。
基本信息
专利标题 ：
实现用于晶片级封装的精确对准的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790648A
申请号 ：
CN200510115137.2
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈浩L·L·休
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510115137.2
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2018-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20161110
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080220
终止日期 : 20161110
2008-02-20 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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