晶片级封装和切割的方法
专利权的视为放弃
摘要
首先提供封装晶片与元件晶片，且该封装晶片的正面有多个腔体及沟槽。随后接合该封装晶片与该元件晶片，并进行第一切割工艺。接着贴附粘着层于该封装晶片之上，再进行第二切割工艺并移除该粘着层，形成晶片级封装结构。最后，将该晶片级封装结构分割为多个封装管芯。
基本信息
专利标题 ：
晶片级封装和切割的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009230A
申请号 ：
CN200610006063.3
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王顺达
申请人 ：
探微科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006063.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2009-09-09 ：
专利权的视为放弃
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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