封装晶片加工装置及其制造方法
专利权的终止
摘要

作为静电夹具,用在半导体晶片加工应用中的晶片加工装置,其包括石墨基底(1)和至少一种电极图案(3),其中所述电极图案中的凹槽填充有绝缘材料(2),所述绝缘材料包括选自B、Al、Si、Ga、耐火硬金属、过渡金属、稀土金属、其组合中的至少一种元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物或其组合中的至少一种,从而形成第一基本上平坦的表面。然后将第一基本上平坦的表面至少涂覆半导体层(4),所述层包括以下至少一种元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物或其组合中的至少一种,所述元素选自B、A、Si、Ga、耐火硬金属、过渡金属、稀土金属或其组合。从而形成第二基本上平坦的表面,其向外露出从而支承所述晶片。

基本信息
专利标题 :
封装晶片加工装置及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101116170A
申请号 :
CN200580038440.5
公开(公告)日 :
2008-01-30
申请日 :
2005-11-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马克·谢普肯斯东河孝之
申请人 :
莫门蒂夫性能材料股份有限公司
申请人地址 :
美国康涅狄格州
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
吴培善
优先权 :
CN200580038440.5
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/683  H05B3/14  H02N13/00  C23C16/30  C23C16/02  C23C14/06  C23C14/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-10-26 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20171102
2010-05-05 :
授权
2008-03-19 :
实质审查的生效
2008-01-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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