晶片的磨削方法
公开
摘要
本发明提供晶片的磨削方法，在对晶片进行磨削的情况下，使磨削时间缩短，并且使磨削后的晶片的损伤层减小。晶片的磨削方法包含如下的工序：将晶片保持在卡盘工作台的保持面上；第1磨削工序，按照对载荷测量单元所测量的载荷值赋予强弱的方式通过控制单元控制磨削进给机构，将晶片磨削至未达到晶片的规定的完工厚度的厚度；以及第2磨削工序，在第1磨削工序之后，赋予预先设定的设定载荷值而利用磨削磨具将晶片磨削至规定的完工厚度。
基本信息
专利标题 ：
晶片的磨削方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114425741A
申请号 ：
CN202111209706.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
久保徹雄中山英和
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111209706.5
主分类号 ：
B24B37/10
IPC分类号 ：
B24B37/10 B24B37/005 B24B37/30 B24B37/34 B24B47/20 H01L21/304
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
B24B37/07
以工件或研具的运动为特征
B24B37/10
用于单侧研磨
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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