晶片的加工方法和磨削装置
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法和磨削装置，用于抑制产生保护带从因背面磨削而直径变小的晶片的正面探出所引起的不良情况。一种晶片的加工方法，该晶片在外周形成有倒角部，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带，并且使保护带的直径与晶片的直径相同；磨削步骤，利用磨削磨具对保持工作台所保持的晶片的背面进行磨削而使晶片的厚度薄化成比原本的厚度的一半薄，从而晶片的直径缩小，保护带形成从晶片探出的探出部；以及收缩步骤，在实施了磨削步骤之后，对保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法和磨削装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420620A
申请号 ：
CN202111176040.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松冈祐哉
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111176040.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/304 B24B7/04 B24B7/22 B24B27/00 B24B41/00 B24B41/06 B24B55/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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