半导体器件
授权
摘要
本实用新型的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：引线框，包括具有至少一个导电管芯焊盘区域的管芯焊盘；施加到导电管芯焊盘区域上的绝缘层。导电层被施加到绝缘层上，其中一个或多个半导体管芯例如粘合地耦合到导电层。导电管芯焊盘区域、导电层和夹在其间的绝缘层形成集成在器件中的至少一个电容器。导电管芯焊盘区域包括其中具有谷部和峰部的雕刻结构；导电层包括延伸到导电管芯焊盘区域的雕刻结构中的谷部中的导电填充材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920678132.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-13
授权号 ：
CN210129501U
授权日 ：
2020-03-06
发明人 ：
F·V·丰塔纳G·格拉齐奥斯M·德赖
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201920678132.8
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L23/495 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-03-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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