用于层状III族氮化物结构的电介质钝化
公开
摘要
一种钝化的半导体器件结构包括III族氮化物结构(102)和钝化层(104)。III族氮化物结构包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。钝化层包括电介质，电介质形成在该结构上方以提供钝化并与该结构形成界面。该界面提供该结构与电介质之间的具有至少两个原子层厚度的过渡(110)。该界面的特征还在于：具有比对应于至多一个原子层厚度的界面态的参考密度小的界面态的密度。构成粗糙界面的过渡允许界面态的相对低的密度，并因此改善器件结构的高频性能。
基本信息
专利标题 ：
用于层状III族氮化物结构的电介质钝化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270501A
申请号 ：
CN201980099057.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2019-08-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
O·拉博廷高翔H·马钱德
申请人 ：
IQE公开有限公司
申请人地址 ：
英国加的夫
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
宋岩
优先权 ：
CN201980099057.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L29/20 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
