一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法及钝化膜
公开
摘要
本发明公开了一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法，包括以下制备步骤：S10：在基底表面沉积一层金属铝薄膜，得第一中间体；其中，所述基底为Ⅲ族氮化物半导体裸晶片，或，所述基底为预先在Ⅲ族氮化物半导体裸晶片上沉积有金属电极的复合晶片；S20：将所述第一中间体送入氧气环境或干燥的压缩空气环境中高温退火氧化铝，使基底上的金属铝薄膜与氧气反应生成氧化铝介质膜，得第二中间体。本发明还公开了一种通过上述制备方法获得的钝化膜。与现有技术相比，本发明的制备方法简单可靠、成本低，改善了钝化膜的抗耐压和低漏电特性，且透光性好，更符合用户所需。
基本信息
专利标题 ：
一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法及钝化膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582740A
申请号 ：
CN202210168314.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江灏彭天智卢家冰
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林伟斌
优先权 ：
CN202210168314.7
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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