半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法。调整晶圆翘曲度的方法包括：在晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；根据晶圆在不同方向的翘曲度，将晶圆划分为至少一个晶圆部分和其余晶圆部分，其中，至少一个晶圆部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度；以及向吸光层的对应于至少一个晶圆部分的区域照射激光束，以减小至少一个晶圆部分与其余晶圆部分的翘曲度的差值。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284137A
申请号 ：
CN202111632545.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢炜刘力恒范冬宇张静王迪
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111632545.0
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/56 H01L23/31 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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