半导体器件

授权

摘要

本公开的实施例涉及半导体器件。公开了一种具有衬底和罩的腔体型半导体封装。该半导体封装包括第一半导体管芯，其耦合到衬底；以及柔性材料层，其位于罩的表面上。迹线位于柔性材料层上。罩利用柔性材料层以及罩与衬底之间的迹线耦合到衬底。第二半导体管芯耦合到罩上的柔性材料层和迹线。罩还包括孔隙，以将第二半导体管芯暴露于周围环境。柔性材料层在封装的操作循环期间吸收由罩与衬底的不同的热膨胀系数而引起的应力，以减小罩与衬底分离的可能性。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021521091.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-28

授权号：

CN212676259U

授权日：

2021-03-09

发明人：

J·S·塔利多

申请人：

意法半导体公司

申请人地址：

菲律宾卡兰巴市

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202021521091.0

主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H01L25/16 H01L21/48 H01L23/31 H01L23/498