一种ITO导电膜刻蚀痕消除工艺
实质审查的生效
摘要

本发明涉及电子显示器件玻璃面板的技术领域,具体涉及一种ITO导电膜刻蚀痕消除工艺,首先经过清洗、烘干、等离子处理的预处理,得到洁净的玻璃基片以备用;然后在预处理后的玻璃基片至少一面设置透明防护层,且在透明防护层上镀制ITO膜层;接下来在所得ITO膜层上刻蚀电极图案,形成具有电极图案的凹痕,再在凹痕内填充消影液,烘干固化;然后在填充了消影液的ITO膜层的表面固化形成补偿层;最后在所得补偿层上设置功能层,该功能层包括依次设置的消影层和减反射层。本发明可以显著消除ITO导电膜的刻蚀痕,且降低了该导电玻璃的反射率,增强了其透过率,实用性强。

基本信息
专利标题 :
一种ITO导电膜刻蚀痕消除工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496397A
申请号 :
CN202111602602.0
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
夏宁倪植森陈诚黄迎辉樊黎虎巩燕龙胡克军邵帅杨波李若尘
申请人 :
凯盛科技股份有限公司蚌埠华益分公司
申请人地址 :
安徽省蚌埠市高新区嘉和路377号
代理机构 :
昆明合众智信知识产权事务所
代理人 :
朱世新
优先权 :
CN202111602602.0
主分类号 :
H01B13/00
IPC分类号 :
H01B13/00  H01B5/14  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20211224
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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