一种干法打砂清洗工艺

授权

摘要

本发明提供一种干法打砂清洗工艺，包括依次进行以下步骤：S1：对打砂后的硅片进行超声清洗；S2：对超声清洗后的硅片进行超声后处理；S3：对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在干法打砂后进行清洗更加方便快捷，清洗效率高，采用超声清洗，将干法打砂后硅片表面的杂质清洗干净，超声清洗后采用硅刻蚀液或氢氟酸进行清洗，对硅片表面进行腐蚀，去除硅片表面因机械应力造成的应力损伤层，去除硅片表面的颗粒杂质，采用清洗剂清洗，将腐蚀后的硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面清洁度达到生产规格要求。

基本信息

专利标题：

一种干法打砂清洗工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109755100A

申请号：

CN201711057486.2

公开（公告）日：

2019-05-14

申请日：

2017-11-01

授权号：

CN109755100B

授权日：

2022-04-08

发明人：

黄志焕李亚哲徐长坡陈澄梁效峰杨玉聪王晓捧王宏宇王鹏

申请人：

天津环鑫科技发展有限公司

申请人地址：

天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

栾志超

优先权：

CN201711057486.2

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 B08B3/12 B08B3/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2019-06-07 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20171101

2019-05-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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