一种半导体设备中干法刻蚀装置内零件的表面剥离清洗工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体设备中干法刻蚀装置内零件的表面剥离清洗工艺，在不影响石英载盘功能的前提下，采用机加工对表面进行剥离去除同时结合喷砂、研磨等步骤有效的将石英载盘恢复到初始状态，对比纯清洗去除的工艺可以保证石英载盘表面的平坦度更优，密封更好，干法刻蚀的刻蚀速率可以得到更好的控制，同时结合对石英载盘表面的清洗可以有效的控制洁净程度，也可以为客户大大节省设备的使用成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体设备中干法刻蚀装置内零件的表面剥离清洗工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267609A
申请号 ：
CN202111339535.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张巨宇贺贤汉朱光宇王松朋张正伟李泓波
申请人 ：
富乐德科技发展（大连）有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市保税区海明路179-8号（环普国际产业园B04栋）
代理机构 ：
大连智高专利事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
盖小静
优先权 ：
CN202111339535.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/673 B08B3/02 B08B1/00 B08B3/08 F26B21/00 B24C1/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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