一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法
授权
摘要
本发明公开一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法，包括以下步骤：沉积步骤，在图形化后的光刻胶结构的表面均匀沉积一定厚度的有机薄膜；刻蚀步骤，对所述有机薄膜进行各向同性刻蚀；以及判断步骤，判断所述光刻胶的线条边缘粗糙度是否达到预设值，如果判断为否，则返回沉积步骤，如果判断为是，则结束。
基本信息
专利标题 ：
一种改善光刻胶线条边缘粗糙度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107527797A
申请号 ：
CN201710702042.3
公开（公告）日 ：
2017-12-29
申请日 ：
2017-08-16
授权号 ：
CN107527797B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
许开东
申请人 ：
江苏鲁汶仪器有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
代理机构 ：
北京得信知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟海娟
优先权 ：
CN201710702042.3
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2018-01-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20170816
申请日 : 20170816
2017-12-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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